存儲(chǔ)芯片行業(yè)深度報(bào)告：算力拉動(dòng)，拐點(diǎn)提前

科技Party

（報(bào)告出品方/作者：國(guó)盛證券，鄭震湘、佘凌星）
一、AI 帶動(dòng)存力芯片用量快速提升

1.1 AI 帶動(dòng)算力及存力需求快速提升
ChatGPT 是 OpenAI 開(kāi)發(fā)的一款聊天機(jī)器人，能夠更高層次理解人類需求并解決復(fù)雜問(wèn) 題。ChatGPT 基于 Transformer 架構(gòu)算法，可用于處理序列數(shù)據(jù)模型，通過(guò)連接真實(shí)世 界中大量的語(yǔ)料庫(kù)來(lái)訓(xùn)練模型，可進(jìn)行語(yǔ)言理解并通過(guò)文本輸出，做到與真正人類幾乎 無(wú)異的聊天場(chǎng)景進(jìn)行交流。 ChatGPT 應(yīng)用場(chǎng)景廣泛，海外已有龍頭落地成功案例： 1）文字創(chuàng)意的生成：快速生成文章段落結(jié)構(gòu)。 2）客服系統(tǒng)：與客戶更流暢的交流。 3）虛擬人物對(duì)話：傳統(tǒng)虛擬人物會(huì)設(shè)定對(duì)話標(biāo)準(zhǔn)答案，ChatGPT 能夠更自然真實(shí)地與人 對(duì)話。 4）結(jié)合 Office 軟件：生成文檔、表格、PPT 等。 5）搜索：替代部分搜索需求。 6）咨詢領(lǐng)域：提供值得思考或探索的方向。 ChatGPT 海外已有應(yīng)用方案落地：為 BuzzFeed 提供個(gè)性化測(cè)試服務(wù)以及為 Amazon 解 決工程師技術(shù)難題等。
ChatGPT 帶動(dòng)算力需求飆升，存算側(cè)硬件全面增量需求。據(jù) NVIDIA 估算，訓(xùn)練 GPT3，假設(shè)單個(gè)機(jī)器的顯存/內(nèi)存容量足夠的前提下，8 張 V100 顯卡訓(xùn)練時(shí)長(zhǎng)預(yù)計(jì)達(dá) 36 年， 1024 張 80GBA100 顯卡完整訓(xùn)練 GPT-3 的時(shí)長(zhǎng)為 1 個(gè)月，算力側(cè)硬件需求全面增長(zhǎng)。
ChatGPT4 多模態(tài)演繹，算力需求進(jìn)一步激增。ChatGPT4 為多模態(tài)模型，使用圖像、 視頻等多媒體數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練，文件大小遠(yuǎn)超文字，進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)算力需求飆升。以 LAION5B 圖文數(shù)據(jù)集為例，其包含 58.5 億個(gè) CLIP 過(guò)濾的圖像文本數(shù)據(jù)集，我們認(rèn)為圖像、視 頻類訓(xùn)練數(shù)據(jù)將驅(qū)動(dòng)算力需求進(jìn)一步飆升。此外，大模型訓(xùn)練需要海量數(shù)據(jù)傳輸，由此 將對(duì)以服務(wù)器交換機(jī)為代表的數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備產(chǎn)生更多需求，相關(guān)高算力芯片需求量將相 應(yīng)增長(zhǎng)。

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高算力時(shí)代，Chiplet 助力突破芯片制程瓶頸。在速度方面，采取 3D 封裝技術(shù)的 chiplet 縮短了線路傳輸距離，指令的響應(yīng)速度得到大幅提升，寄生性電容和電感也得以降低， 此外，更多更密集的 I/O 接點(diǎn)數(shù)，電路密度提升將提高功率密度。3D 封裝由于采用更細(xì) 小、更密集的電路，信號(hào)傳輸不需要過(guò)多的電信號(hào)，從而功耗也會(huì)相應(yīng)降低。
整體來(lái)看，ChatGPT 將從算力側(cè)和數(shù)據(jù)傳輸端全面帶動(dòng)顯卡及高算力芯片需求，由此將 從算力芯片、應(yīng)用端、存算一體、先進(jìn)封裝、封裝設(shè)備、IC 載板等多個(gè)領(lǐng)域帶動(dòng)硬件市 場(chǎng)增量需求。
1.2 AI 服務(wù)器需求快速增長(zhǎng)，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)困境修復(fù)
根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2021 年全球服務(wù)器出貨量達(dá) 1315 萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng) 7.8%， 對(duì)應(yīng)全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 995 億美元。根據(jù) Counterpoint 預(yù)計(jì)，2022 年全球服務(wù)器市場(chǎng)規(guī) 模有望達(dá)到 1117 億美元，同比增長(zhǎng) 17.0%。預(yù)計(jì)云服務(wù)提供商數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張?jiān)鲩L(zhǎng)驅(qū)動(dòng) 力主要來(lái)自于汽車、5G、云游戲和高性能計(jì)算。
AI 服務(wù)器滲透率依舊較低，增長(zhǎng)空間巨大。根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，截止 2022 年全球搭 載 GPGPU 的 AI 服務(wù)器（推理）出貨量占整體服務(wù)器比重約 1%，同時(shí) TrendForce 預(yù)測(cè) 2023 年伴隨 AI 相關(guān)應(yīng)用加持，年出貨量增速達(dá)到 8%，2022~2026 年 CAGR 為 10.8%。 根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，2022 年全球 AI 服務(wù)器采購(gòu)中，Microsoft、Google、Meta、AWS 為前四大采購(gòu)商，合計(jì)占比 66.2%。中國(guó)地區(qū) ByteDance（字節(jié)跳動(dòng)）采購(gòu)比例最高， 達(dá)到 6.2%。

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人工智能已成為解決艱巨業(yè)務(wù)挑戰(zhàn)的首選解決方案。AI 正在為各行各業(yè)的企業(yè)組織開(kāi)辟 創(chuàng)新之路，從改善客戶服務(wù)、優(yōu)化供應(yīng)鏈、獲取商業(yè)智能，到設(shè)計(jì)新產(chǎn)品和服務(wù)等。NVIDIA 作為 AI 基礎(chǔ)架構(gòu)的先行者，NVIDIA DGX 系統(tǒng)可提供更強(qiáng)大、完整的 AI 平臺(tái)，將企業(yè) 組織的核心想法付諸實(shí)踐。目前 AI 大規(guī)模訓(xùn)練方面，NVIDIA 推出的最新 DGX 系統(tǒng)包括 A100、H100、BasePOD、SuperPOD 四款產(chǎn)品，其中，DGX A100、DGX H100 為英偉達(dá) 當(dāng)前服務(wù)于 AI 領(lǐng)域的服務(wù)器產(chǎn)品。
H100 采用先進(jìn)工藝芯片采用臺(tái)積電 4N 工藝+臺(tái)積電 CoWoS 2.5D 封裝，有 800 億個(gè)晶 體管對(duì)比 A100 有 540 億個(gè)晶體管，同時(shí)搭載了 HBM3 顯存，可實(shí)現(xiàn)近 5TB/s 的外部互 聯(lián)帶寬。H100 是首款支持 PCIe 5.0 的 GPU，也是首款采用 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的 GPU，單個(gè) H100 可支持 40Tb/s 的 IO 帶寬，實(shí)現(xiàn) 3TB/s 的顯存帶寬。
DGX H100 帶來(lái)性能的快速飛躍，通過(guò)全新張量處理格式 FP8 實(shí)現(xiàn)。其中 FP8 算力是 4PetaFLOPS，F(xiàn)P16 達(dá) 2PetaFLOPS，TF32 算力為 1PetaFLOPS，F(xiàn)P64 和 FP32 算力為 60TeraFLOPS。在 DGX H100 系統(tǒng)中，擁有 8 顆 H100 GPU，整體系統(tǒng)顯存帶寬達(dá) 24TB/s， 硬件上支持系統(tǒng)內(nèi)存 2TB，及支持 2 塊 1.9TB 的 NVMe M.2 硬盤作為操作系統(tǒng)及 8 塊 3.84TB NVMe M.2 硬盤作為內(nèi)部存儲(chǔ)。根據(jù)官網(wǎng)信息，NVIDIA DGX H100 對(duì)比上一代產(chǎn) 品具有 6 倍的性能及 2 倍的網(wǎng)絡(luò)速度和高速可擴(kuò)展性，同時(shí)英偉達(dá)表示目前新款 DGX H100 已經(jīng)全面投入生產(chǎn)。
國(guó)內(nèi)華為的昇騰 Atlas 800（型號(hào) 9010）訓(xùn)練服務(wù)器是基于昇騰 910+Intel Cascade Lake 的 AI 訓(xùn)練服務(wù)器，具有高計(jì)算密度、高能效比與高網(wǎng)絡(luò)帶寬易拓展、易管理等特點(diǎn)，該 服務(wù)器廣泛應(yīng)用于深度學(xué)習(xí)模型開(kāi)發(fā)和 AI 訓(xùn)練服務(wù)場(chǎng)景，適用于公有云、互聯(lián)網(wǎng)、運(yùn)營(yíng) 商等需要大算力的行業(yè)領(lǐng)域。AI 處理器昇騰 910 是一款具有超高算力的 AI 處理器，其 最大功耗為 310W，華為自研的達(dá)芬奇架構(gòu)大大提升了其能效比。八位整數(shù)精度（INT8） 下的性能達(dá)到 640TOPS，16 位浮點(diǎn)數(shù)（FP16）下的性能達(dá)到 320 TFLOPS。
Atlas 800（型號(hào) 9010）訓(xùn)練服務(wù)器從配置來(lái)看，擁有 8 個(gè)昇騰 910 模組，單模組支持HBM2e技術(shù)，且擁有32GB容量及1228GB/s傳輸速度，AI算力達(dá)2.24 PFLOPS FP16/1.76 PFLOPS FP16。本地存儲(chǔ)支持 2 個(gè) 2.5 SATA+8 個(gè) 2.5 SAS/SATA 或 2 個(gè) 2.5 SAS/SATA+6 個(gè) 2.5 NVMe。 AI 服務(wù)器帶來(lái)存力硬件需求快速擴(kuò)展。根據(jù)美光數(shù)據(jù)測(cè)算，人工智能服務(wù)器中 DRAM 內(nèi) 容是普通服務(wù)器的 8 倍，NAND 內(nèi)容將是普通服務(wù)器的 3 倍，而大容量及高速率存儲(chǔ)器 將是算力數(shù)據(jù)迭代運(yùn)算的重要基礎(chǔ)。我們認(rèn)為，人工智能計(jì)算量日益增加，對(duì)于 AI 服務(wù) 器硬件需求將進(jìn)一步提升。從服務(wù)器硬件配置角度，HBM 技術(shù)將快速在 AI 服務(wù)器中普 及，其價(jià)格遠(yuǎn)高于現(xiàn)有基礎(chǔ)服務(wù)器配置，未來(lái) AI 服務(wù)器需求將帶領(lǐng)存儲(chǔ)芯片出現(xiàn)量?jī)r(jià)齊 升的趨勢(shì)。
1.3 海外龍頭減產(chǎn)縮支，國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈或?qū)⒓涌觳季?/strong>
1. 美光科技
公司最新發(fā)布 2023 年 Q2 財(cái)報(bào)披露。2023 年 Q2 公司總收入約 36.93 億美元，環(huán)比下 降約 9.6%，同比下降約 52.6%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)虧損 22.13 億美金。2023 年 Q2 會(huì)計(jì)期末庫(kù) 存約為 81.29 億美元，較上一季度環(huán)比回落 2.75%，有望持續(xù)改善。2023 年 Q2 財(cái)年的 非 GAAP 每股虧損為 1.91 美元，低于上一季度的每股虧損 0.04 美元和上一年的每股收 益 2.14 美元，其中 Q2 財(cái)政每股收益包括約 1.34 美元的庫(kù)存減記損失。 2023 年 Q2 財(cái)政的公司分存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)收入： a. DRAM：收入為 27 億美元，占總收入的 74%。DRAM 收入環(huán)比下降 4%，出貨量在預(yù) 期范圍內(nèi)微增，其中價(jià)格下降約 20%。 b. NAND 收入為 8.85 億美元，占總收入的 24％。NAND 收入環(huán)比下降 20％，價(jià)格下降 在 20%范圍內(nèi)。

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美光科技對(duì)于 2023 財(cái)年第三季度的 GAAP 收入指引為 37 億±2 億美元，較 2022 財(cái)年 第三季度 GAAP 收入的 86.42 億美元同比下降約 57%，環(huán)比有望持平。公司認(rèn)為財(cái)務(wù)業(yè) 績(jī)已在 2023 年第二財(cái)季達(dá)到較低位置，并看好未來(lái)幾個(gè)季度的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)快速修復(fù)。在 經(jīng)歷整體市場(chǎng)及公司財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)低迷之后，公司預(yù)計(jì)將根據(jù)長(zhǎng)期財(cái)務(wù)模型恢復(fù)正常的增長(zhǎng) 和盈利能力。
2. 三星電子
2023 年 4 月 7 日三星電子發(fā)布 2023 年 Q1 業(yè)績(jī)，公司初步報(bào)表（未審計(jì)）預(yù)計(jì) 23Q1 營(yíng)收 63 萬(wàn)億韓元，yoy-19%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 6000 億韓元，同比-95.8%。 2022 全年公司業(yè)績(jī)收入 302.23 萬(wàn)億韓元，yoy+8.1%；毛利率 37.1%，yoy-3.4pcts； 研發(fā)費(fèi)用率 8.2%，yoy+0.2pcts；營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 43.38 萬(wàn)億韓元，yoy-16.0%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率 14.4%，yoy-4.1pcts；凈利率 18.4%，yoy+4.1pcts。22Q4 單季度公司業(yè)績(jī)收入 70.46 萬(wàn)億韓元，yoy-8.0%，qoq-8.2%；毛利率 31.0%，yoy-10.3pcts，qoq-6.4pcts；研發(fā)費(fèi) 用率 9.2%，yoy+0.8pcts，qoq+1.0pcts；營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 4.31 萬(wàn)億韓元，yoy-68.9%，qoq60.3%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率 6.1%，yoy-12.0pcts，qoq-8.0pcts；凈利率 33.8%，yoy+19.6pcts， qoq+21.6pcts。（凈利率大幅提升主因前期與子公司股息相關(guān)的遞延所得稅負(fù)債減少）
基于 2022 年全年公司分產(chǎn)品業(yè)績(jī)： 1）DRAM：22Q4 ASP 下降了 30%，預(yù)計(jì) 23Q1 DRAM 市場(chǎng)出現(xiàn)低個(gè)位數(shù)下降，公司與 市場(chǎng)保持同步。 2）NAND：22Q4 ASP 下降了 20%，預(yù)計(jì) 23Q1 NAND 市場(chǎng)出現(xiàn)中個(gè)位數(shù)下降，公司表 現(xiàn)略優(yōu)于市場(chǎng)水平。 3）出貨量：移動(dòng)端，22Q4 智能手機(jī)出貨量為 5800 萬(wàn)部，ASP 為 240 美元，平板電腦出貨量為 800 萬(wàn)部；預(yù)計(jì) 23Q1 智能手機(jī)出貨量和 ASP 將上升，但平板電腦出貨量將下 降；電視端，22Q4 液晶電視銷量增長(zhǎng)了 15%，預(yù)計(jì) 23Q1 銷量將下降 10%~15%。
3.海力士
2022 全年業(yè)績(jī)收入 44.65 萬(wàn)億韓元，yoy+4%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 7.01 萬(wàn)億韓元，yoy-44%；營(yíng) 業(yè)利潤(rùn)率 16%，yoy-13pcts；凈利潤(rùn) 2.44 萬(wàn)億韓元，yoy-75%。2022Q4 業(yè)績(jī)收入 7.70 萬(wàn)億韓元，yoy-38%，qoq-38%；營(yíng)業(yè)虧損 1.70 萬(wàn)億韓元，上年同期為盈利 4.20 萬(wàn)億 韓元；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率-22%，上季度為 15%，去年同期為 34%；凈虧損 3.52 萬(wàn)億韓元，上 年同期為凈盈利 3.32 萬(wàn)億韓元。

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分產(chǎn)品業(yè)績(jī)
1）NAND：NAND 產(chǎn)品在 2022Q4 收入為 2.39 萬(wàn)億韓元，占 2022Q4 公司總收入 31%。 從應(yīng)用上來(lái)講，SSD&Mobile 共占 NAND 的應(yīng)用收入的 90%，USB，Card 和其他的應(yīng)用 占剩余的 10%。 2）DRAM：DRAM 產(chǎn)品在 2022Q4 收入為 4.62 萬(wàn)億韓元，占 2022Q4 公司總收入 60%。 3 ） 從 應(yīng) 用 上 來(lái) 講 ， Server 占 DRAM 的 應(yīng) 用 收 入 的 50% ， PC 占 20% ， Graphics,Consumer&Mobile 占應(yīng)用收入的剩下 30%。
4.海外公司資本開(kāi)支：
1）美光：率先宣布將削減投資計(jì)劃。之前美光已大幅削減資本開(kāi)支，2023 年第二財(cái)季 將進(jìn)一步削減 2023 財(cái)年資本開(kāi)支，目前預(yù)計(jì)投資約 70 億美元，同比下降 40%，同時(shí)芯 片設(shè)備方面的支出削減最多達(dá) 50%，以放緩供應(yīng)增長(zhǎng)。 2）三星電子：公司表示由于全球經(jīng)濟(jì)疲軟以及客戶專注于用完庫(kù)存而放緩采購(gòu)，內(nèi)存需 求急劇下降，從而進(jìn)一步影響了行業(yè)定價(jià)及公司業(yè)績(jī)?；诂F(xiàn)有供給保障，公司將把存 儲(chǔ)芯片的產(chǎn)量降到一個(gè)較為平衡的水平。我們認(rèn)為，公司相較之前減產(chǎn)態(tài)度有所改變， 短期內(nèi)或有望削減生產(chǎn)計(jì)劃，但長(zhǎng)期來(lái)看公司也將對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施及研究進(jìn)行長(zhǎng)期投資，以 確保其行業(yè)領(lǐng)先地位。 3）海力士：相比 2022 年海力士由于經(jīng)濟(jì)周期下行、設(shè)備交期等因素及芯片供給過(guò)剩， 9 月底開(kāi)始對(duì)設(shè)備商進(jìn)行砍單。據(jù)韓媒 BusinessKorea 報(bào)道，公司 2022 年資本支出 19 萬(wàn)億韓元，2023 年將大幅縮減資本支出 50%。公司預(yù)期 2023 年 H2 整體存儲(chǔ)行業(yè)需求 端或?qū)?fù)蘇，但資本支出削減有助于公司靈活經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)。 美光、三星、海力士對(duì)于行業(yè)價(jià)格及景氣度預(yù)估將在 23 年 H2 恢復(fù)，各家公司減產(chǎn)及縮 減資本開(kāi)支有利行業(yè)快速觸底反彈。我們認(rèn)為，行業(yè)周期屬性顯著，縮減資本開(kāi)支是周 期的一部分，可以有效改善供需錯(cuò)配關(guān)系，優(yōu)化行業(yè)格局和過(guò)剩產(chǎn)能，同時(shí)推動(dòng)行業(yè)從 周期底部向上修復(fù)。
5.中國(guó)網(wǎng)信網(wǎng)公告對(duì)美光公司在華銷售進(jìn)行安全審查
根據(jù) 2023 年 3 月 31 日，中國(guó)網(wǎng)信網(wǎng)公告，為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，防范 產(chǎn)品問(wèn)題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)，維護(hù)國(guó)家安全，依據(jù)《中華人民共和國(guó)國(guó)家安全法》 《中華人民共和國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全法》，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡(luò)安全審查辦法》，對(duì)美 光公司（Micron）在華銷售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。 國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)布局時(shí)刻。我們認(rèn)為，隨我國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)布局逐步完善，國(guó)內(nèi)將對(duì) 美光及一部分國(guó)外公司的依賴度將逐漸降低，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈公司有望快速崛起。 1）AI 服務(wù)器帶來(lái)存力硬件需求上行：根據(jù)美光數(shù)據(jù)測(cè)算，人工智能服務(wù)器中 DRAM 內(nèi) 容是普通服務(wù)器的 8 倍，NAND 內(nèi)容將是普通服務(wù)器的 3 倍，而大容量存儲(chǔ)器將是算力 數(shù)據(jù)迭代運(yùn)算的重要基礎(chǔ)。 2）庫(kù)存邊際改善，價(jià)格修復(fù)在即：美光 2023 年 Q2 會(huì)計(jì)期末庫(kù)存約為 81.29 億美金， 同比下降 2.75%，有望持續(xù)改善。AI 服務(wù)器有望帶動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)景氣度及需求快速提升， 加速存儲(chǔ)行業(yè)庫(kù)存進(jìn)一步清出。根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，美光及 SK 海力士在內(nèi)的部分供 應(yīng)商已啟動(dòng) DRAM 減產(chǎn)計(jì)劃，2023 年第二季度 DRAM 價(jià)格跌幅將收窄至 10%到 15%。 3）國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)布局時(shí)刻：國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈多元化布局，2023 年有望完成產(chǎn) 品結(jié)構(gòu)快速升級(jí)。
二、DRAM：周期輪動(dòng)，價(jià)格底部

2.1 DRAM：強(qiáng)周期屬性，高壟斷格局
DRAM 系存儲(chǔ)器第一大產(chǎn)品，占比全球儲(chǔ)存市場(chǎng) 53%的市場(chǎng)份額。DRAM 屬于易失存儲(chǔ) 器，多用于 cpu 和圖像系統(tǒng)緩存的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，若斷電則存儲(chǔ)數(shù)據(jù)會(huì)丟失。DRAM 產(chǎn) 品緩存空間越大則可同時(shí)處理和儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)也相應(yīng)更多，系電子設(shè)備不可或缺的組成部 分。

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復(fù)盤 DRAM 歷史周期變化情況，市場(chǎng)波動(dòng)劇烈，周期屬性較強(qiáng)。在過(guò)去 30 年中，DRAM 市場(chǎng)經(jīng)歷過(guò)若干輪的驚人增長(zhǎng)和毀滅性崩潰。2021年DRAM行業(yè)迎來(lái)42%的高速增長(zhǎng)， 而根據(jù) IC Insight 預(yù)計(jì)，2022 年 DRAM 行業(yè)增速轉(zhuǎn)而下降 18%。
波動(dòng)上升，市場(chǎng)規(guī)模呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。DRAM 系千億美金大市場(chǎng)，下游覆蓋消費(fèi)、PC、服務(wù)器等眾多領(lǐng)域，行業(yè)規(guī)模在周期輪動(dòng)中不斷上升。根據(jù) IC Insight，2011 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模為 296 億美金，而 2022 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 758 億美金，CAGR 達(dá) 8.9%。
DRAM 下游應(yīng)用主要在智能手機(jī)、PC 以及服務(wù)器三大領(lǐng)域，美國(guó)和中國(guó)系前兩大市場(chǎng)。 2021 年 DRAM 第一大應(yīng)用領(lǐng)域智能手機(jī)占比 39%，第二大應(yīng)用領(lǐng)域服務(wù)器占比 34%， PC 端整體出貨量同比 2020 年增長(zhǎng) 14.8%，但受核心配件價(jià)格高漲和辦公需求萎縮的影 響，整體占比下降，僅為 13%。從區(qū)域分布看，美國(guó)和中國(guó)系 DRAM 前兩大市場(chǎng)，2019 年合計(jì)份額超 70%。
強(qiáng)周期屬性大浪淘沙，集中度不斷提升。在經(jīng)歷“需求提出-供不應(yīng)求-價(jià)格上漲-產(chǎn)能擴(kuò) 張-供給過(guò)剩-價(jià)格下跌-重新洗牌”的多輪周期往復(fù)后，當(dāng)前全球 DRAM 廠商形成了以三 星電子（韓國(guó)）、SK 海力士(韓國(guó))和美光(美國(guó))三大巨頭壟斷的局面。2021 年全球市場(chǎng) 份額中，三星、海力士、美光合計(jì)份額占比達(dá) 94%。

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DDR 技術(shù)不斷演進(jìn)，行業(yè)對(duì)于產(chǎn)品性能、內(nèi)存容量和功耗的追求也越來(lái)越高，標(biāo)準(zhǔn)工作 電壓越來(lái)越低，芯片容量越來(lái)越大，同時(shí) IO 速率也越來(lái)越高。從最早的 128Mbps 的 DDR 發(fā)展到了如今的 6400Mbps 的 DDR5，每一代 DDR 產(chǎn)品的發(fā)布都伴隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的 翻倍增長(zhǎng)。
DRAM 產(chǎn)品中，DDR4 系當(dāng)前主流，DDR5 接力入場(chǎng)。DRAM 產(chǎn)品有明顯的新產(chǎn)品逐步 取代老產(chǎn)品的趨勢(shì)，老款 DRAM 逐步轉(zhuǎn)為利基型 DRAM 直至停產(chǎn)淘汰。第一代 DDR 產(chǎn) 品已停產(chǎn)，DDR2 在 2010 年占比高達(dá) 30%，而到了 2020 年僅占 1%，應(yīng)用于利基市場(chǎng)。 當(dāng)前 DRAM 市場(chǎng) DDR4 系主流，2020 年占比達(dá) 78%左右。根據(jù) Yole，兩代內(nèi)存之間的 過(guò)渡時(shí)間大約只需要兩年，這意味著到 2023 年，DDR5 內(nèi)存的市場(chǎng)份額將高于 DDR4。 而到 2026 年，DDR4 份額或?qū)⒔抵?5%以下。
2.2 行業(yè)寒冬，周期視角下的底部
2.2.1 供需端：需求短期等待修復(fù)，DRAM 廠商難逃行業(yè)寒冬
2022 年供需位元差加大，供大于求困局未破。根據(jù) TrendForce，2023 年 DRAM 市場(chǎng)需 求位元長(zhǎng)大率為 8.3%，系近年來(lái)首次低于 10%，遠(yuǎn)低于供給位元長(zhǎng)大的 14.1%。因此 2023 年的 DRAM 市場(chǎng)在供過(guò)于求的情勢(shì)或愈演愈烈，供大于求仍是當(dāng)前困局。
下游需求疲軟，DRAM 市場(chǎng)規(guī)模連續(xù)多季度萎縮。2022 年疲弱的經(jīng)濟(jì)狀況和高通脹率 降低了全球范圍內(nèi)個(gè)人電腦、智能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求，DRAM 需求也因此 下降。預(yù)計(jì) 2022 年下半年 DRAM 銷售額將下降-40%至 293 億美元，而 2022 年上半年 銷售額達(dá) 490 億美元。同時(shí)，根據(jù) CFM 閃存市場(chǎng)，三季度存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比大跌 29.72% 至 177.64 億美元，創(chuàng) 10 個(gè)季度新低，預(yù)計(jì) 2022 年 Q4 市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步環(huán)比下跌。

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2022 年 Q4 多廠商業(yè)績(jī)下行，行業(yè)平均下跌達(dá) 30%。 三星：2022 年 Q4，DRAM 銷售收入達(dá) 54.05 億美元，環(huán)比減少 23.6%，市場(chǎng)份額為 44.5%。DRAM Bit 出貨量環(huán)比高個(gè)位數(shù)增長(zhǎng)，ASP 環(huán)比下跌超 30%。 SK 海力士：2022 年 Q4，DRAM 收入達(dá) 34.07 億美元，環(huán)比減少 35.3%，DRAM 出貨量 環(huán)比持平，ASP 下跌超 30%。 美光：2022 年 Q4，DRAM 收入為 28.29 億美元，環(huán)比下跌 41.2%，DRAM Bit 出貨量環(huán) 比下降約 25%，DRAM ASP 環(huán)比減少 20%以上。 南亞科技：2022 年 Q4，DRAM 收入環(huán)比減少 30.3%至 2.53 億美元。 華邦電子:2022 年 Q4，DRAM 收入環(huán)比減少 29.8%至 1.06 億美元。
2.2.2 價(jià)格端：高水位庫(kù)存+低需求市場(chǎng)，降價(jià)持續(xù)
庫(kù)存端，以美光各季庫(kù)存進(jìn)行追蹤，自 2021 年 Q1 開(kāi)始，公司庫(kù)存逐步進(jìn)入下降通道， 至 2021 年 Q4 達(dá)到底部。自此開(kāi)始，受下游需求疲軟影響，公司庫(kù)存水位逐步增加，至 2023Q1，公司庫(kù)存水位已達(dá)近三年最高點(diǎn)，為 81.29 億美元，環(huán)比 2022 年 Q4 增幅超 18%。高庫(kù)存水位下，各廠商去庫(kù)存壓力迫在眉睫，同時(shí)疊加需求疲軟，直接導(dǎo)致 DRAM 市場(chǎng)產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌。
供需對(duì)峙下，存儲(chǔ)廠商唯有降價(jià)。根據(jù) Trendforce，2023 年 Q1 下游各領(lǐng)域產(chǎn)品價(jià)格均 有超過(guò) 10%的下降。目前來(lái)看，PC 制造商仍有 9 至 13 周的 DRAM 庫(kù)存等待消化，但移 動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的庫(kù)存水平相對(duì)健康，不過(guò)定價(jià)仍預(yù)計(jì)要下降 10-15%。由于消費(fèi)者對(duì) DRAM 的需求低迷，供應(yīng)商將銷售的目光投向了服務(wù)器方面，然而這卻導(dǎo)致服務(wù)器 DRAM 庫(kù)存 的大量堆積。
現(xiàn)貨價(jià)：我們以 DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 產(chǎn)品為例，現(xiàn)貨價(jià)格已至上一輪周期底部， 利基市場(chǎng)主要面向存儲(chǔ)速度性能不太高的市場(chǎng)，上一輪 DDR3 周期價(jià)格上行系三星、海 力士等龍頭廠商為準(zhǔn)備利潤(rùn)更高的 DDR5 生產(chǎn)，逐步淘汰 DDR3 產(chǎn)能，導(dǎo)致 DDR3 短期 內(nèi)供需失衡所致。同樣，在本輪的 DDR3 價(jià)格下行周期中，三星放緩 line13 的 DDR3 產(chǎn) 能轉(zhuǎn)換至 CIS，也給供給端帶來(lái)更多壓力。本輪底部區(qū)間，在行業(yè)面臨寒冬，下游需求疲 軟，供給過(guò)剩的背景下，價(jià)格反彈壓力較大。

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三、NAND Flash:市場(chǎng)有望快速修復(fù)

NAND Flash 作為非易失性存儲(chǔ)，被廣泛應(yīng)用在下游設(shè)備資料儲(chǔ)存的應(yīng)用領(lǐng)域。NAND Flash 從特性來(lái)看斷電后不會(huì)丟失儲(chǔ)存信息特征，在生產(chǎn)過(guò)程中主流產(chǎn)品已具備規(guī)模化、 標(biāo)準(zhǔn)化的能力，同時(shí)容量大、價(jià)格較低，現(xiàn)階段作為主流的儲(chǔ)存介質(zhì)，被廣泛的應(yīng)用于 智能手機(jī)領(lǐng)域、筆電領(lǐng)域、服務(wù)器領(lǐng)域及汽車領(lǐng)域等。 從微觀結(jié)構(gòu)基本構(gòu)成來(lái)看，NAND Flash 的結(jié)構(gòu)從小到大分別為
cell-line-page-blockplane-die。例如三星型號(hào)為 K9K8G08U0A 的 Nand Flash，其內(nèi)部有兩個(gè) K9F4G08U0A 的 chip，chip#1 和 chip#2，每個(gè) K9F4G08U0A 的 chip 包含了 2 個(gè) Plane，每個(gè) Plane 是 2Gb bit，所以 K9F4G08U0A 的大小是 2Gb×2 = 4Gb = 512MB，因此，K9K8G08U0A 內(nèi)部有 2 個(gè) K9F4G08U0A，或者說(shuō) 4 個(gè) Plane，總大小是×256MB＝1GB。
通過(guò)下游領(lǐng)域劃分，其最終儲(chǔ)存介質(zhì)的出貨形態(tài)劃分以 eMMC/UFS（主要應(yīng)用在移動(dòng)設(shè) 備）、SSD（主要應(yīng)用在服務(wù)器和 PC）產(chǎn)品為主，及 SD/閃存盤（移動(dòng)儲(chǔ)存 SD 卡及 U 盤） 為輔的產(chǎn)品設(shè)備中。在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，相較于 eMMC 的封裝形式，UFS 封裝的閃存有著更高的寫入速度，更好的性能。智能手機(jī)端從 eMMC 發(fā)展現(xiàn)階段 UFS3.1 規(guī)格儲(chǔ)存，讀 寫速度進(jìn)一步提升，遠(yuǎn)超于 eMMC 幾倍的速率。SSD 產(chǎn)品則依據(jù)下游應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)容量和 速度的要求部分，分為消費(fèi)級(jí)、數(shù)據(jù)中心級(jí)和企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。
根據(jù)閃存市場(chǎng) CFM 數(shù)據(jù)，2021 年 NAND Flash 市場(chǎng)容量達(dá)到 5700 億 GB，預(yù)計(jì) 2022 年 將增長(zhǎng) 30%，達(dá)到 7410 億 GB。其中，2021 年 NAND Flash 主要以應(yīng)用于 mobile 市場(chǎng) 的 UFS、eMMC、eMCP 和 uMCP 產(chǎn)品為主的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，和應(yīng)用于 PC 等消費(fèi)類渠 道市場(chǎng)的 cSSD、以及應(yīng)用于服務(wù)器市場(chǎng)的 eSSD 產(chǎn)品為主，占比分別為 39%、25%和 22%。根據(jù) Trendforce 的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，未來(lái)到 2023 年，智能手機(jī)板塊的需求將小幅度上 漲，而服務(wù)器的需求將大幅上漲，與此形成對(duì)應(yīng)的則是在 PC 端的需求小幅下降。

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3.1 NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)
根據(jù)中金企信統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，NAND Flash2020 年市場(chǎng)規(guī)模為 534.1 億美元，預(yù)計(jì)到 2025 年， 全球 NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模講達(dá)到 931.9 億美元，2021 年至 2025 年，CAGR 增速 7.4%。 隨著 PC 及智能手機(jī)平均儲(chǔ)存容量的上升，及工業(yè)設(shè)備、傳感器、汽車系統(tǒng)和醫(yī)療系統(tǒng)等 設(shè)備中，人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì)海量數(shù)據(jù)處理需求增長(zhǎng)，基于 NAND Flash 的儲(chǔ)存趨勢(shì)也 將繼續(xù)發(fā)展。
NAND Flash 技術(shù)一直基于二維平面的 NAND 技術(shù)，也就是我們說(shuō)的 2D NAND 閃存。2D 在平面上對(duì)晶體管尺寸進(jìn)行微縮，從而獲得更高的存儲(chǔ)密度，但晶體管尺寸微縮遇到物 理極限，現(xiàn)已面臨瓶頸，達(dá)到發(fā)展極限。為了在維持性能的情況下實(shí)現(xiàn)容量提升，3D NAND 成為發(fā)展主流。根據(jù) International business strategies 數(shù)據(jù)顯示，2019 年，3D NAND 的滲透率為 72.6％，已遠(yuǎn)超 2D NAND，且未來(lái)仍將持續(xù)提高，預(yù)計(jì) 2025 年 3D NAND 將占閃存總市場(chǎng)的 97.5％。
3.2 等待下游需求恢復(fù)，價(jià)格欲將企穩(wěn)修復(fù)
3.2.1 供需端:產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步集中，供需逐漸修復(fù)
NAND Flash 寡頭地位逐步增強(qiáng)，根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)顯示，CR6 包括三星、鎧俠、西部 數(shù)據(jù)、美光、英特爾、海力士總體市場(chǎng)規(guī)模占比約 99%，其中三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)三 家行業(yè)龍頭，約占比 70%的市場(chǎng)份額，在市場(chǎng)上有較大的影響力。
根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)受益于下游新增需求的快速發(fā)展，NAND Flash 的需 求量也會(huì)有增長(zhǎng)趨勢(shì)。從行業(yè)供給格局來(lái)看，三星依舊占領(lǐng)較大的市場(chǎng)份額，但還未形 成絕對(duì)的寡頭地位，且國(guó)內(nèi)公司長(zhǎng)江儲(chǔ)存也將持續(xù)發(fā)展，有望進(jìn)一步提升市場(chǎng)份額。

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位于四日市最先進(jìn)制程晶圓廠 Fab7 完工。此 Fab7 晶圓廠第一期的總投資約為 1 萬(wàn)億日 元(約合人民幣 487.97 億元)，具備生產(chǎn)第六代 162 層 NAND Flash 閃存和未來(lái)更先進(jìn) 3D NAND Flash 閃存的能力，計(jì)劃于 2023 年初開(kāi)始出貨 162 層 NAND Flash 閃存。頭部廠 商已正逐步覆蓋 3D NAND 236 及 256 層甚至更高疊層工藝制程，持續(xù)技術(shù)迭代更新。
NAND Flash 需求端受到全球人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì)海量數(shù)據(jù)處理，其市場(chǎng)規(guī)模正快速增 長(zhǎng)。而 NAND Flash 主要覆蓋的下游應(yīng)用設(shè)備為手機(jī)、服務(wù)器、PC 及車載工控等，我們 認(rèn)為，手機(jī)及 3C 產(chǎn)品的儲(chǔ)存容量和硬盤搭載率提升將推動(dòng) NAND Flash 需求量持續(xù)增 高。對(duì)于服務(wù)器設(shè)備，云端儲(chǔ)存及處理數(shù)據(jù)場(chǎng)景越發(fā)增長(zhǎng)，服務(wù)器需求量及單設(shè)備搭載 量同樣推動(dòng) NAND Flash 市場(chǎng)的需求量提升。除此傳統(tǒng)需求領(lǐng)域外，隨著車載智能化的 逐步提升，車載 NAND Flash 市場(chǎng)也有望迎來(lái)高速增長(zhǎng)。
1)手機(jī)及傳統(tǒng) 3C 產(chǎn)品，NAND 單機(jī)搭載量提升
近十年，智能手機(jī)作為成熟市場(chǎng)，每年全球手機(jī)出貨維持在 11 至 13 億部左右，保持穩(wěn) 定波動(dòng)。而隨手機(jī)智能化水平越發(fā)提升，其攝影攝像功能、高清顯示功能及各類多功能 軟件所消耗的儲(chǔ)存空間持續(xù)增長(zhǎng)，用戶對(duì)于手機(jī)的儲(chǔ)存空間越發(fā)增加。智能手機(jī)市場(chǎng)對(duì) 應(yīng) Flash 市場(chǎng)的增長(zhǎng)邏輯，主要來(lái)源于單機(jī)搭載量的持續(xù)提升。
根據(jù) Counterpoint 數(shù)據(jù)顯示，2020 年智能手機(jī) NAND 閃存平均容量首次突破 100GB 大 關(guān)。在 iOS 和 Android 手機(jī)中有所不同。在 iOS 手機(jī)中，2020 年第四季度的平均 NAND 容量達(dá)到 140.9GB，而同期 Android 手機(jī)的平均容量為 95.7GB。Android 手機(jī)的平均容 量在過(guò)去幾年中一直在快速增長(zhǎng)。2020 年 iOS 和 Android 手機(jī)的平均容量分別增長(zhǎng)了 5.6%和 20.5%。同時(shí)根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)顯示，預(yù)估 2023 年智能手機(jī) NAND Flash 單 機(jī)搭載容量年長(zhǎng)大仍能維持 22.1%。我們認(rèn)為，iPhone 產(chǎn)品組合仍全線往更高容量 1TB 靠攏；Android 高端機(jī)種也跟進(jìn)將 512GB 做為標(biāo)準(zhǔn)配備，中低端機(jī)儲(chǔ)存空間則隨硬件規(guī) 格持續(xù)升級(jí)而提高，因此整體平均容量仍有增長(zhǎng)空間。
全球 PC 市場(chǎng)（包括筆電、桌面 PC、工作站等）在 2020-2021 年期間迎來(lái)強(qiáng)換機(jī)周期且 居家辦公刺激需求端提前消費(fèi)，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021 年全球 PC 出貨量達(dá) 3.46 億臺(tái)。2022 年需求迎來(lái)疲軟態(tài)勢(shì)，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2022 年整體出貨量將下滑至 2.93 億臺(tái)，同比降低 15.2%。 另外，由于消費(fèi)市場(chǎng)需求減緩，教育市場(chǎng)也獲基本滿足，及因經(jīng)濟(jì)狀況弱化同樣使商用 市場(chǎng)需求遭到擠壓。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì) 2023 年全球 PC 市場(chǎng)將進(jìn)一步萎縮。PC 加上平板電腦的整體市場(chǎng)預(yù)估 2023 年下降 2.6%，預(yù)計(jì)在 2024 年恢復(fù)長(zhǎng)大。

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根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，由于 2020-2021 年受到居家辦公的提前消費(fèi)影響，平板電腦（包括二合 一的可拆卸式平板在內(nèi)）市場(chǎng)在 2020/2021 年出貨量達(dá)到 1.65/1.69 億部，同比增長(zhǎng) 13.8%/2.4%。但隨 2022 年消費(fèi)逐步疲軟，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2022 年全球出貨量同比下 滑 3.6%至 1.63 億臺(tái)。
PC 及移動(dòng)平板電腦作為存量市場(chǎng)，整體年度出貨量波動(dòng)不大，基本維持億部的出貨量。 近些年隨電腦固態(tài)硬盤替代傳統(tǒng)硬盤趨勢(shì)及單機(jī)儲(chǔ)存量提升，其中SSD搭載率有所提升。 據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng) ChinaFlashMarket 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到 2018 年 SSD 240GB 價(jià)格與 1TB HDD 同價(jià)的，在筆記本電腦上的搭載率將達(dá)到 52%。到 2019 年 SSD 480GB 價(jià)格與 1TB HDD 同價(jià)的時(shí)候，在筆記本電腦上的搭載率將達(dá)到 65%以上。另外，消費(fèi)類 SSD 在零售渠道 市場(chǎng)每個(gè)月也有 200 萬(wàn)片硬盤升級(jí) SSD 的出貨量。
據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2020 年筆記本市場(chǎng) SSD 的搭載率已經(jīng)高達(dá) 80%，且 512GB SSD 出貨量大幅增加。其中價(jià)位更加低廉的中低端市場(chǎng)是其長(zhǎng)大驅(qū)動(dòng)力。
2)AI 帶動(dòng)服務(wù)器及云端數(shù)據(jù)儲(chǔ)存有望快速放量，進(jìn)一步推動(dòng) NAND Flash 需求
云計(jì)算時(shí)代市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，云儲(chǔ)存、云計(jì)算的數(shù)據(jù)量不斷提高。在數(shù)字化時(shí)代的發(fā)展 下，隨工作量的云上遷移和云本地應(yīng)用的加速開(kāi)發(fā)，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不斷迭代升級(jí)的 背景下，全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)儲(chǔ)量由 2016 年的 16ZB 增長(zhǎng)至 2021 年的 54ZB，復(fù)合年均增長(zhǎng)率為 27.5%，隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展， 預(yù)計(jì) 2022 年全球數(shù)據(jù)儲(chǔ)量將達(dá) 61ZB。
根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)，云數(shù)據(jù)及企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需求將在 2026 年達(dá)到 5255 億每 GB 當(dāng)量， 2021 年至 2026 年，CAGR 將達(dá)到 33.0%。
3)車載 NAND Flash 有望受汽車智能化持續(xù)增長(zhǎng)
2022 年全球新能源汽車銷量突破千萬(wàn)。根據(jù) Clean Technica 數(shù)據(jù)，2022 年全球新能源 汽車銷量突破千萬(wàn)達(dá) 1009.12 萬(wàn)輛，占整體汽車市場(chǎng) 14%份額，其中比亞迪以 184.77 萬(wàn)輛的全年銷售數(shù)據(jù)獲得全球銷量冠軍。根據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2023 年 1 月和 2 月我國(guó)新能源汽車月度銷量分別為 40.78 萬(wàn)輛和 52.50 萬(wàn)輛，由于 1-2 月為汽車銷量傳 統(tǒng)淡季，2023 年 1 月與 2 月銷量與 2022 年 12 月 81.38 萬(wàn)輛的月銷量相比仍有差距。 后續(xù)隨著汽車電動(dòng)化進(jìn)程不斷深化，我們認(rèn)為全球范圍內(nèi)新能源汽車銷量將會(huì)維持高速 增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

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根據(jù) IDC 及 IHS 數(shù)據(jù)顯示，車用 DRAM 和 NAND 市場(chǎng)規(guī)模將從 2020 年的 20.4 億和 12.6 億，增長(zhǎng)到 2025 年的 85 億美元和 61 億美元，預(yù)計(jì)年復(fù)合增長(zhǎng)率為 33%和 37%。 車規(guī)級(jí) NAND Flash 需要符合 AEC-Q100 等車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，隨著汽車行業(yè)智能化、網(wǎng)聯(lián)化的 演進(jìn)，與 SOTA（軟件在線升級(jí)），MaaS（出行即服務(wù)）得以實(shí)現(xiàn)，市場(chǎng)對(duì)車載存儲(chǔ)的程 序和處理的數(shù)據(jù)量提出更多的新需求。 車用存儲(chǔ)芯片規(guī)模長(zhǎng)大的驅(qū)動(dòng)因素，主要為三個(gè)方面，首先為智能座艙產(chǎn)生巨量數(shù)據(jù)交 互，其次是 ADAS 系統(tǒng)及車載娛樂(lè)系統(tǒng)。隨著自動(dòng)駕駛的普及及自動(dòng)駕駛等級(jí)的提升 （L2~L5），會(huì)產(chǎn)生大量的道路和環(huán)境數(shù)據(jù)，用于收集車輛運(yùn)行和周邊環(huán)境數(shù)據(jù)的各類傳 感器也會(huì)越來(lái)越多，包括攝像頭、毫米波雷達(dá)、激光雷達(dá)等，根據(jù)安全和功能需要對(duì)數(shù) 據(jù)進(jìn)行處理和保存，從而產(chǎn)生了大容量 NAND 存儲(chǔ)的需求。英特爾估計(jì)，自動(dòng)駕駛汽車 每天將產(chǎn)生 4000GB 的數(shù)據(jù)量，即再低等級(jí)的自動(dòng)駕駛車輛也需要大量車載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。 根據(jù) Semico Research 數(shù)據(jù)顯示，L1/L2 級(jí)別的自動(dòng)駕駛需要 8GB 的 NAND 容量，而 L3 為 256GB，到 L5 的時(shí)候需要 1TB，自動(dòng)駕駛技術(shù)升級(jí)對(duì) NAND 需求呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的增長(zhǎng)。
3.2.2 價(jià)格端：環(huán)比下降收窄，價(jià)格將逐步企穩(wěn)
考慮到 NAND Flash 主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品的定位、單價(jià)和格局等不盡相同，我們對(duì) NAND Flash 價(jià)格分主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品兩大類進(jìn)行跟蹤。 主流價(jià)格：現(xiàn)貨價(jià)增長(zhǎng)后企穩(wěn)，合約價(jià)自 2022 年 6 月開(kāi)始下跌。 現(xiàn)貨價(jià)：以 MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）為例， 經(jīng)歷 2022 年 4 月漲價(jià)后，價(jià)格逐步企穩(wěn)跌幅趨緩。截至 2023 年 4 月 7 日，以上兩款 64Gb 和 32Gb 價(jià)格分別為 3.85 美金和 2.13 美金。
合約價(jià)：以 MLC NAND Flash 128Gb（16Gx8）、MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）三款為例，從 2021 年 7 月價(jià)格穩(wěn)定后，在 2022 年 6 月開(kāi)始 出現(xiàn)價(jià)格下降，截至 2023 年 2 月 24 日，以上三款合約價(jià)分別為 4.14/2.98/2.59 美金。
四、存儲(chǔ)創(chuàng)新技術(shù)適配 AI 快速發(fā)展

4.1 HBM 突破技術(shù)瓶頸，逐漸凸顯應(yīng)用價(jià)值
4.1.1 HBM 堆疊技術(shù)進(jìn)一步提高傳輸速率
高帶寬存儲(chǔ)器（英文：High Bandwidth Memory，縮寫 HBM）是三星電子、超微半導(dǎo)體 和 SK 海力士發(fā)起的一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的 應(yīng)用場(chǎng)合，用于圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）等。HBM 主要 是通過(guò)硅通孔（Through Silicon Via，簡(jiǎn)稱“TSV”）技術(shù)進(jìn)行芯片堆疊，以增加吞吐量并 克服單一封裝內(nèi)帶寬的限制，將數(shù)個(gè) DRAM 裸片像樓層一樣垂直堆疊。

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HBM 有兩個(gè)核心特征： 1）DRAM 顆粒以 3D 封裝方式垂直擺放。 2）3D DRAM 與 GPU/CPU 通過(guò) interposer 合封，實(shí)現(xiàn)直接連接。 這兩個(gè)技術(shù)特征，目的是解決傳統(tǒng) DRAM 與 CPU/GPU 通過(guò)主板（Motherboard）連接的 信號(hào)延遲與電磁干擾。
HBM 對(duì)比其他 DRAM 內(nèi)存（如 DDR4 或 GDDR6）相比，擁有較寬內(nèi)存總線。一個(gè) HBM stack 由 4 個(gè) DRAM die（4-Hi）堆疊而成，并擁有 8 個(gè) 128 位信道（每個(gè) die 上 2 個(gè)）， 總寬度為 1024 位。因此，具有四個(gè) 4-Hi HBM stack 的 GPU 將擁有 4096 位寬度的內(nèi)存 總線。相比之下，GDDR 存儲(chǔ)器的總線寬度為 32 位，同樣 16 個(gè)信道則只具有 512 位存 儲(chǔ)器接口。HBM 支持每個(gè) package 的容量最多為 4GB。對(duì)比第一代 HBM，第二代高帶 寬存儲(chǔ) HBM2，該標(biāo)準(zhǔn)指定了每個(gè) stack 多達(dá) 8 個(gè) die，將 pin 傳輸速率提高一倍來(lái)到 2 GT/s。保留 1024 位寬的存取，HBM2 能夠達(dá)到每個(gè) package 256GB/s 存儲(chǔ)帶寬。HBM2 規(guī)范允許每個(gè) package 容量高達(dá) 8GB，其性能也是超于同期 DRAM 內(nèi)存。
4.1.2 HBM 技術(shù)已迅速發(fā)展，人工智能將帶動(dòng)技術(shù)快速突破
HBM 技術(shù)已經(jīng)發(fā)展了很長(zhǎng)時(shí)間。在 2013 年推出的高帶寬內(nèi)存（HBM）是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM 架構(gòu)，其數(shù)據(jù)傳輸速率約為 1Gbps。2016 年發(fā)布的 HBM2 繼承了前一代產(chǎn) 品的特點(diǎn)，每個(gè)堆疊包含最多 8 個(gè)內(nèi)存芯片，并將管腳傳輸速率提升一倍至 2Gbps。 HBM2 實(shí)現(xiàn)了每個(gè)封裝 256GB/s 的內(nèi)存帶寬（DRAM 堆疊），支持 HBM2 規(guī)格，每個(gè)封裝 最大容量可達(dá) 8GB。首款使用高帶寬存儲(chǔ)器的設(shè)備是 AMD Radeon Fury 系列顯示核心。 2013 年 10 月，高帶寬存儲(chǔ)器正式被 JEDEC 采納為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，第二代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM2） 于 2016 年 1 月被 JEDEC 采納，同時(shí) NVIDIA 在該年發(fā)表的新款旗艦型 Tesla 運(yùn)算加速 卡“Tesla P100”，AMD 的“Radeon RX Vega”系列及 Intel 的“Knight Landing”也采 用了第二代高帶寬存儲(chǔ)器。
2018 年底，JEDEC 宣布推出 HBM2E 規(guī)范，以滿足增長(zhǎng)的帶寬和容量需求。當(dāng)傳輸速率 提升至每管腳 3.6Gbps 時(shí)，HBM2E 可實(shí)現(xiàn)每堆疊 461GB/s 的內(nèi)存帶寬。此外，HBM2E 支持最多 12 個(gè) DRAM 的堆疊，內(nèi)存容量最高可達(dá)每堆疊 24GB。HBM2E 具備實(shí)現(xiàn)巨大 內(nèi)存帶寬的能力。連接到一個(gè)處理器的四塊 HBM2E 內(nèi)存堆疊將提供超過(guò) 1.8TB/s 的帶 寬。通過(guò) 3D 堆疊內(nèi)存，可在極小的空間內(nèi)滿足高帶寬和高容量需求。 NVIDIA 最新一代的 SXM4 A100 GPU 采用了 HBM2E 內(nèi)存。從芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖可見(jiàn)，A100 計(jì)算核心兩側(cè)共有 6 個(gè) HBM 內(nèi)存放置空間。在 SXM4 A100 GPU 發(fā)布時(shí)，NVIDIA 實(shí)際 上僅使用了其中 5 個(gè) HBM 內(nèi)存放置空間，提供 40GB HBM2E 內(nèi)存容量，這意味著每個(gè) HBM2E 內(nèi)存上堆疊了 8 個(gè) 1GB DRAM Die。對(duì)于升級(jí)版的 80GB SXM4 A100 GPU，每個(gè) HBM2E 內(nèi)存上則采用了 8 個(gè) 2GB DRAM Die 進(jìn)行堆疊。
2022 年三星也發(fā)布器 HBM3 技術(shù)產(chǎn)品，在三星發(fā)布的路線圖中，其單芯片接口寬度可達(dá) 1024bit，接口傳輸速率可達(dá) 6.4Gbps，相比上一代提升 1.8 倍，從而實(shí)現(xiàn)單芯片接口帶 寬 819GB/s，如果使用 6 層堆疊可以實(shí)現(xiàn) 4.8TB/s 的總帶寬。
我們認(rèn)為 2024-2025 年隨人工智能算力需求進(jìn)一步提升，將快速提高對(duì)存儲(chǔ)器件高帶寬 的高傳輸速率要求，2024 年預(yù)計(jì)在不考慮高級(jí)封裝技術(shù)帶來(lái)的高多層堆疊和內(nèi)存寬度提 升下，將實(shí)現(xiàn)接口速度高達(dá) 7.2Gbps 的 HBM3p，從而將數(shù)據(jù)傳輸率相比這一代進(jìn)一步提 升 10%，從而將堆疊的總帶寬提升到 5TB/s 以上。我們認(rèn)為，2025 年將看到更多搭載 HBM 下一代技術(shù)的產(chǎn)品服役于人工智能服及高算力設(shè)備中。

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4.2 存算一體：嵌入計(jì)算能力，有效提升數(shù)據(jù)效率
4.2.1 存算一體，后摩爾時(shí)代發(fā)展的必然要求
存算一體（Computing in Memory）是在存儲(chǔ)器中嵌入計(jì)算能力，以新的運(yùn)算架構(gòu)進(jìn) 行二維和三維矩陣乘法/加法運(yùn)算，即利用存儲(chǔ)器對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算，從而避免數(shù)據(jù)搬運(yùn) 產(chǎn)生的“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻”，提高數(shù)據(jù)的并行和效率。經(jīng)典馮諾依曼框架下，數(shù)據(jù)的 存儲(chǔ)和計(jì)算是分開(kāi)的，處理器和存儲(chǔ)器之間通過(guò)數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。在過(guò)去二十年， 處理器性能以每年大約 55%的速度提升，內(nèi)存性能的提升速度每年只有 10%左右。結(jié) 果長(zhǎng)期下來(lái)，不均衡的發(fā)展速度造成了當(dāng)前的存儲(chǔ)速度嚴(yán)重滯后于處理器的計(jì)算速度。 因此在存儲(chǔ)器和處理器之間形成了“存儲(chǔ)墻”，嚴(yán)重限制了芯片的整體性能。由于處理器 和存儲(chǔ)器的分離，在處理數(shù)據(jù)的過(guò)程中，首先需要將數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)器通過(guò)總線搬運(yùn)到處理 器，處理完成后，再將數(shù)據(jù)搬運(yùn)回存儲(chǔ)器進(jìn)行存儲(chǔ)。搬運(yùn)時(shí)間往往是運(yùn)算時(shí)間的成百上 千倍，能效非常低即稱為“功耗墻”。
目前存算技術(shù)按照以下歷史路線順序演進(jìn)： A、查存計(jì)算（Processing With Memory）：GPU 中對(duì)于復(fù)雜函數(shù)就采用了這種計(jì)算 方法，是早已落地多年的技術(shù)。通過(guò)在存儲(chǔ)芯片內(nèi)部查表來(lái)完成計(jì)算操作。這是最早期 的技術(shù)。 B、近存計(jì)算（Computing Near Memory）：典型代表是 AMD 的 Zen 系列 CPU。計(jì)算 操作由位于存儲(chǔ)區(qū)域外部的獨(dú)立計(jì)算芯片/模塊完成。這種架構(gòu)設(shè)計(jì)的代際設(shè)計(jì)成本較低， 適合傳統(tǒng)架構(gòu)芯片轉(zhuǎn)入。將 HBM 內(nèi)存（包括三星的 HBM-PIM）與計(jì)算模組（裸 Die）封 裝在一起的芯片也屬于這一類。近存計(jì)算技術(shù)早已成熟，被廣泛應(yīng)用在各類 CPU 和 GPU 上。 C、存內(nèi)計(jì)算（Computing In Memory）：典型代表是 Mythic、千芯科技、閃億、知存、 九天睿芯等。計(jì)算操作由位于存儲(chǔ)芯片/區(qū)域內(nèi)部的獨(dú)立計(jì)算單元完成，存儲(chǔ)和計(jì)算可以 是模擬的也可以是數(shù)字的。這種路線一般用于算法固定的場(chǎng)景算法計(jì)算。 D、存內(nèi)邏輯（Logic In Memory）：這是較新的存算架構(gòu)，典型代表包括 TSMC（在 2021 ISSCC 發(fā)表）和千芯科技。這種架構(gòu)數(shù)據(jù)傳輸路徑最短，同時(shí)能滿足大模型的計(jì)算 精度要求。通過(guò)在內(nèi)部存儲(chǔ)中添加計(jì)算邏輯，直接在內(nèi)部存儲(chǔ)執(zhí)行數(shù)據(jù)計(jì)算。
4.2.2 國(guó)外龍頭占據(jù)行業(yè)壟斷地位，國(guó)內(nèi)廠商積極布局
進(jìn)入互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代后，全球數(shù)據(jù)產(chǎn)生量快速攀升，數(shù)據(jù)產(chǎn)生量爆發(fā)式增長(zhǎng)，特別是在人工 智能、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)背景的發(fā)展下，根據(jù) IDC 預(yù)計(jì) 2025 年數(shù)據(jù)產(chǎn)生量將達(dá)到 175ZB， 市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)的收集、存儲(chǔ)、處理要求將不斷提高。存算一體芯片必將從端側(cè)小算力市場(chǎng) 逐步擴(kuò)展到整個(gè) AI 芯片領(lǐng)域。未來(lái)行業(yè)將會(huì)呈現(xiàn)持續(xù)走高的態(tài)勢(shì)。量子位智庫(kù)預(yù)估 2025 年，國(guó)內(nèi)存算一體芯片市場(chǎng)規(guī)模為 125 億元，2030 年為 1136 億人民幣，CAGR 為 55%。

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目前可用于存算一體的成熟存儲(chǔ)器有 NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM、NVRAM 等。SRAM 在速度方面和能效比方面具有優(yōu)勢(shì)，特別是在存內(nèi)邏輯技術(shù)發(fā)展起來(lái)之后具 有明顯的高能效和高精度特點(diǎn)。DRAM 成本低，容量大，但是速度慢，且需要電力不斷 刷新。適用存算一體的新型存儲(chǔ)器有 PCAM、MRAM、RRAM 和 FRAM 等。其中憶阻器 RRAM 在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算中具有特別的優(yōu)勢(shì)，是除了 SRAM 存算一體之外的，下一代存算 一體介質(zhì)的主流研究方向。目前 RRAM 距離工藝成熟還需要 2-5 年，材料不穩(wěn)定，但 RRAM 具有高速、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，有希望成為未來(lái)發(fā)展最快的新型存儲(chǔ)器。 學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界對(duì)存算一體的技術(shù)路徑尚未形成統(tǒng)一的分類，目前主流的劃分方法是依 照計(jì)算單元與存儲(chǔ)單元的距離，將其大致分為近存計(jì)算（PNM）、存內(nèi)處理（PIM）、存內(nèi) 計(jì)算（CIM）。特斯拉、阿里達(dá)摩院、三星等大廠所選擇的便是近存計(jì)算（PNM）。 特斯拉：在 Hot Chips 大會(huì)上，公司測(cè)算 Dojo（AI 訓(xùn)練計(jì)算機(jī)）所用的 D1 芯片相比于 統(tǒng)一時(shí)間的業(yè)內(nèi)其他芯片，同成本下性能提升 4 倍，同能耗下性能提高 1.3 倍，占用空 間節(jié)省 5 倍。 阿里達(dá)摩院：在 2021 年，發(fā)布采用混合鍵合（Hybrid Bonding）的 3D 堆疊技術(shù)相比傳 統(tǒng) CPU 計(jì)算系統(tǒng)。公司測(cè)算，相比一時(shí)間的存算一體芯片的性能提升 10 倍以上，能效 提升超過(guò) 300 倍。 三星：在 2022 年 10 月，基于存內(nèi)處理架構(gòu)，發(fā)布存儲(chǔ)器產(chǎn)品 HBM-PIM（嚴(yán)格意義上是 PNM）。公司測(cè)算，與其他沒(méi)有 HBM-PIM 芯片的 GPU 加速器相比，HBM-PIM 芯片將 AMD GPU 加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了約 50%。與僅配備 HBM 的 GPU 加速器 相比，配備 HBM-PIM 的 GPU 加速器一年的能耗降低了約 2100GWh。
知存科技：2022 年 3 月量產(chǎn)的基于 PIM 的 SoC 芯片 WTM2101 正式投入市場(chǎng)，公司認(rèn) 為，對(duì)比統(tǒng)一時(shí)間產(chǎn)品實(shí)現(xiàn) 10 倍以上的能效提升。 億鑄科技：基于 CIM 框架、RRAM 存儲(chǔ)介質(zhì)的研發(fā)“全數(shù)字存算一體”大算力芯片，通 過(guò)減少數(shù)據(jù)搬運(yùn)提高運(yùn)算能效比，同時(shí)利用數(shù)字存算一體方法保證運(yùn)算精度，適用于云 端 AI 推理和邊緣計(jì)算。 智芯科微：于 2022 年底推出業(yè)界首款基于 SRAM CIM 的邊緣側(cè) AI 增強(qiáng)圖像處理器。 特斯拉、三星、阿里巴巴等擁有豐富生態(tài)的大廠以及英特爾，IBM 等傳統(tǒng)的芯片大廠， 幾乎都在布局 PNM；而知存科技、億鑄科技、智芯科等初創(chuàng)公司，在押注 PIM、CIM 等 “存”與“算”更親密的存算一體技術(shù)路線。大廠對(duì)存算一體架構(gòu)提出的需求是“實(shí)用、 落地快”，而近存計(jì)算作為最接近工程落地的技術(shù)，成為大廠們的首選。而中國(guó)初創(chuàng)公司 們，由于成立時(shí)間較短、技術(shù)儲(chǔ)備薄弱：缺乏先進(jìn) 2.5D 和 3D 封裝產(chǎn)能和技術(shù)，為打破 美國(guó)的科技?jí)艛啵袊?guó)初創(chuàng)企業(yè)聚焦的是無(wú)需考慮先進(jìn)制程技術(shù)的 CIM。
4.3 3D NAND：突破存儲(chǔ)容量限制瓶頸
NAND 從 2D 到 3D 是大勢(shì)所趨，可突破存儲(chǔ)容量限制瓶頸。2D NAND 是在平面上對(duì)晶 體管尺寸進(jìn)行微縮，從而獲得更高的存儲(chǔ)密度，但晶體管尺寸微縮存在物理極限，發(fā)展 已趨緩。要在維持性能的情況下實(shí)現(xiàn)容量提升，3D NAND 成為主流方向。3D NAND 將 解決方案從提高制程工藝轉(zhuǎn)變?yōu)槎鄬佣询B，解決了 2D NAND 在增加容量的同時(shí)性能出 現(xiàn)下降的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。

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3D NAND 的層數(shù)一直在發(fā)展。從最早的 24 層、48 層，發(fā)展到現(xiàn)在 238 層甚至 300 層， 在未來(lái)甚至?xí)黄?500 層。據(jù) TechPowerup 介紹，SK 海力士最新第 8 代 3D NAND 閃 存，容量為 1Tb（128GB），具有三級(jí)單元和超過(guò) 20Gb/mm2的位密度（bit density）。該 芯片的頁(yè)容量（page size）為 16KB，擁有四個(gè) planes，接口傳輸速率為 2400MT/s，最 高吞吐量為 194MB/s（相比第 7 代 238 層 3D NAND 閃存提高了 18%）。密度的提升將 降低制造過(guò)程中每 Tb 的成本，終端消費(fèi)者最終能從性能和容量的提升中受益。
三星已經(jīng)完成了第八代 V-NAND 技術(shù)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，堆棧層數(shù)達(dá)到了 236 層，2022 年 11 月已量產(chǎn)。SK 海力士已宣布研發(fā)出了 238 層 NAND 閃存，預(yù)計(jì) 2023 年 H1 大規(guī)模量產(chǎn)。 美光 232 層 NAND 已于 2022 年 12 月為消費(fèi)類設(shè)備出貨。國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)也于今年 8 月份發(fā)布了 232 層的 3D NAND 閃存芯片 X3-9070，且于 2022 年 12 月或?qū)?yīng)用于國(guó)內(nèi) 部分品牌客戶產(chǎn)品。
在下游應(yīng)用領(lǐng)域中，移動(dòng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心是 3D NAND 技術(shù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域，隨 ChatGPT 等人工智能帶來(lái)大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的巨量級(jí)需求增加，未來(lái) 3D NAND 技術(shù)或?qū)⒖焖偾疫M(jìn)一步 升級(jí)。
五、重點(diǎn)公司分析

5.1 兆易創(chuàng)新：業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng)，看平臺(tái)化公司如何打造
立足中國(guó)覆蓋全球，產(chǎn)品品類不斷擴(kuò)展。兆易創(chuàng)新成立于 2005 年 4 月，是一家立足中 國(guó)的全球化芯片設(shè)計(jì)公司。公司致力于各類存儲(chǔ)器、控制器及周邊產(chǎn)品的設(shè)計(jì)研發(fā)。公 司在上海、合肥、中國(guó)香港設(shè)有全資子公司、在深圳設(shè)有分公司，在中國(guó)臺(tái)灣省設(shè)有辦 事處，并在日韓、美國(guó)等地通過(guò)產(chǎn)品分銷商為客戶提供本地化服務(wù)。公司產(chǎn)品包括 NOR Flash、NAND Flash、DRAM 以及 MCU 等，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、消費(fèi)電子、個(gè)人電腦、 辦公設(shè)備、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域。 公司作為 NorFlash 龍頭積極拓展 DRAM 市場(chǎng)，已于 2021 年 6 月成功量產(chǎn)自有品牌 19nmDRAM，未來(lái)將朝 17nm 演進(jìn)。公司 2023 年 3 月 1 日公告，與合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)生 采購(gòu) DRAM 產(chǎn)品及代工業(yè)務(wù)，22 年與長(zhǎng)鑫的實(shí)際采購(gòu)額 8.74 億元（其中自研 2.61 億 元，代銷 6.13 億元），預(yù)計(jì) 23H1 與長(zhǎng)鑫關(guān)聯(lián)交易金額預(yù)計(jì)約為 5.55 億元（其中自研 2.08 億元，代銷 3.47 億元）。 公司營(yíng)收近年來(lái)穩(wěn)步增長(zhǎng)，即使在今年芯片行業(yè)寒冬的大背景下，公司前三季度營(yíng)收依 然維持正增長(zhǎng)。更為可貴的是，公司的扣非歸母凈利潤(rùn)延續(xù) 2021 年遠(yuǎn)高于營(yíng)收增速的 態(tài)勢(shì)，2022 前三季度，公司歸母凈利潤(rùn)同比增速達(dá) 26.92%。
公司業(yè)績(jī)高增的一大原因系常年高投入的研發(fā)支出，帶來(lái)了良好的成果轉(zhuǎn)化，并以此建 立深厚的技術(shù)壁壘。利潤(rùn)率水平來(lái)看，公司毛利率水平基本維持在 40%左右，且近兩年 有所上升，2022 年前三季度公司毛利率達(dá) 48%，對(duì)應(yīng)凈利潤(rùn)率達(dá) 31%。

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公司圍繞智能化時(shí)代數(shù)據(jù)的感、存、算、控、聯(lián)五個(gè)方面，涵蓋消費(fèi)、汽車、工業(yè)等多 個(gè)領(lǐng)域，以存儲(chǔ)器件為切入點(diǎn)，提供核心 IC 器件和相應(yīng)軟件一體化配套。具體來(lái)看： 1）產(chǎn)品類別擴(kuò)張：圍繞智能化不斷擴(kuò)張以內(nèi)生發(fā)展（募集資金用于 DRAM 研發(fā)）和外 延并購(gòu)（收購(gòu)上海思立微電子）為主，逐步從 NOR Flash、NAND Flash 和 MCU 擴(kuò)展至 DRAM 和 Sensor。 2）平臺(tái)化搭建：通過(guò)應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)張完善以智能化為核心的產(chǎn)品布局，并實(shí)現(xiàn)已有產(chǎn)品 的不斷迭代和工藝制程的持續(xù)升級(jí)，驅(qū)動(dòng)公司平臺(tái)體系建設(shè)日趨完善。其中： （a）NOR Flash：工藝平臺(tái)從 2018 年的 65nm 逐步實(shí)現(xiàn) 55nm 量產(chǎn)，并于 2022 年推 動(dòng) 45nm 工藝平臺(tái)的研發(fā)。同時(shí)不斷針對(duì)產(chǎn)品性能進(jìn)行打磨，推陳出新。 （b）NAND Flash：工藝制程從 2018 年的 38nm 逐步實(shí)現(xiàn) 24nm 量產(chǎn)，并開(kāi)始進(jìn)行 19nm 的研發(fā)。同時(shí)不斷針對(duì)車規(guī)市場(chǎng)進(jìn)行開(kāi)拓布局和研發(fā)。 （c）MCU：產(chǎn)品覆蓋逐步從 55nm 至 40nm 再到 22nm 制程，并針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、工控和 汽車領(lǐng)域不斷擴(kuò)張。 （d）DRAM：逐步實(shí)現(xiàn)從 19nm DDR4 產(chǎn)品量產(chǎn)至 17nm DDR3 產(chǎn)品研發(fā)。 （e）Sensor：在已有 LCD 較全品類的基礎(chǔ)上進(jìn)行 OLED 相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)，并即將推出 OLED 相關(guān)產(chǎn)品。
5.2 北京君正：收購(gòu)北京矽成進(jìn)入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng)、利潤(rùn)率有 所修復(fù)
老牌 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)，收購(gòu)北京矽成進(jìn)軍拓展存儲(chǔ)市場(chǎng)。北京君正于 2005 年成立，是一家 集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，擁有全球領(lǐng)先的 32 位嵌入式 CPU 技術(shù)和低功耗技術(shù)。公司主營(yíng)業(yè) 務(wù)為微處理器芯片、智能視頻芯片等 ASIC 芯片產(chǎn)品及整體解決方案的研發(fā)和銷售，擁 有較強(qiáng)的自主創(chuàng)新能力，且已形成可持續(xù)發(fā)展的梯隊(duì)化產(chǎn)品布局，各類芯片產(chǎn)品分別面向不同市場(chǎng)領(lǐng)域。北京君正于 2020 年完成對(duì)北京矽成（ISSI）及其下屬子品牌 Lumissil 的收購(gòu)，擁有其 100%股份。ISSI 存儲(chǔ)部門有高速低功耗 SRAM，低中密度 DRAM， NOR/NAND Flash，嵌入式 Flash pFusion，及 eMMC 等芯片產(chǎn)品。 受益車規(guī)產(chǎn)品放量，公司業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)。2021 年公司營(yíng)收達(dá) 52.74 億元，同比增長(zhǎng) 143.07%，2022 年前三季度公司營(yíng)收達(dá) 42.19 億元，同比增長(zhǎng) 11.23%。2021 年公司扣 非歸母凈利潤(rùn)達(dá) 8.94 億元，同比增速達(dá) 4265%，2022 年前三季度公司扣非歸母凈利潤(rùn) 達(dá) 7.17 億元，同比增長(zhǎng) 16.83%。
公司研發(fā)投入高速增長(zhǎng)，利潤(rùn)率水平得到修復(fù)。2022 年前三季度公司研發(fā)支出達(dá) 4.64 億元，遠(yuǎn)超 2020 年全年水平，同比 2021 年增長(zhǎng)達(dá) 26.78%。公司毛利率始終維持較高 水平，2020 年毛利率下滑系收購(gòu)子公司存貨增值導(dǎo)致的毛利率下跌，2021 年公司調(diào)整 迅速，毛利率和凈利率水平已基本恢復(fù)至正常水平。2022 年前三季度公司毛利率達(dá) 38.65%，凈利率達(dá) 17.19%。

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5.3 雅克科技：全球前驅(qū)體核心供應(yīng)商，深度受益高性能存儲(chǔ)需求
公司 1 月 19 日發(fā)布 2022 年業(yè)績(jī)預(yù)告，歸母凈利潤(rùn)盈利 5.2-5.9 億元，同比提升 55.34%- 76.25%。公司認(rèn)為，LNG 保溫復(fù)合材料及安裝工程取得較大幅度增長(zhǎng)，帶動(dòng)公司整體業(yè) 績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)和毛利率上升。 公司 2022 年前三季度業(yè)績(jī)，營(yíng)收 31.67 億元，同比提升 17.63%，公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 4.63 億元，同比上升 18.88%。2022 年 Q3 單季度看，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 11.08 億元，同比 上升 324.67%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 1.82 億元，同比提升 23.21%。
前驅(qū)體等半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)持續(xù)受益于國(guó)產(chǎn)替代。前驅(qū)體主要用于薄膜沉積環(huán)節(jié)，產(chǎn)品價(jià) 值量、用量隨制程迭代快速增長(zhǎng)。全球領(lǐng)先玩家包括默克、法液空、SKM、DNF 等，公 司市場(chǎng)份額有望穩(wěn)步提升?？礃I(yè)務(wù)空間，1）高算力芯片搭配 HBM，HBM 對(duì)前驅(qū)體需求 及價(jià)值量顯著提升；2）海外存儲(chǔ)客戶整體稼動(dòng)率見(jiàn)底，預(yù)計(jì) 2023 年 H2 將有所回升， 同時(shí)美光科技被審查進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)份額，利好國(guó)產(chǎn)材料供應(yīng)商；3）國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠持續(xù)擴(kuò) 產(chǎn)，公司國(guó)內(nèi)前驅(qū)體業(yè)務(wù)隨下游爬坡放量持續(xù)長(zhǎng)大。 復(fù)合板材是 LNG 運(yùn)輸船核心材料，競(jìng)爭(zhēng)格局極佳，進(jìn)入高景氣周期。LNG 船需要在-163℃ 的極低溫下運(yùn)輸液化天然氣，且體積被壓縮超過(guò) 600 倍的液化天然氣若在有限空間內(nèi)泄 漏，急劇膨脹會(huì)產(chǎn)生物理爆炸。因此，LNG 運(yùn)輸船被人們稱為“沉睡的氫彈”。而復(fù)合板材作為 LNG 運(yùn)輸船核心材料，由金屬薄膜、增強(qiáng)硬質(zhì)閉孔聚氨酯泡沫、特殊配方樹(shù)脂制 成，不僅起到保溫隔熱功能，且對(duì) LNG 運(yùn)輸船只的安全性作用關(guān)鍵。LNG 船復(fù)合板材具 有極佳的競(jìng)爭(zhēng)格局和較長(zhǎng)的下游認(rèn)證周期，公司作為國(guó)內(nèi)造船廠核心供應(yīng)商，具有全球 領(lǐng)先的深冷復(fù)合材料技術(shù)。我們認(rèn)為此次滬東造船廠訂單有望成為公司 LNG 板材業(yè)務(wù)需 求超預(yù)期的開(kāi)始。此外，公司復(fù)合材料業(yè)務(wù)產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)完善，有望使得業(yè)務(wù)盈利能力 提升，板材業(yè)務(wù)進(jìn)入高景氣周期。
5.4 東芯股份：國(guó)內(nèi) SLC NAND 龍頭，短期業(yè)績(jī)有望快速修復(fù)
公司披露業(yè)績(jī) 2022 年年度業(yè)績(jī)快報(bào)。2022 年公司營(yíng)收 11.49 億元，同比增長(zhǎng) 1.34%。 公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 1.85 億元，同比下降 29.51%。 單季度看，公司 2022 年 Q3 實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 2.34 億元，環(huán)比下降 36.63%，同比下降 29.17%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 5644 萬(wàn)元，環(huán)比減少 46.01%，同比下降 36.01%，2022 年 第三季度業(yè)績(jī)下滑主要系市場(chǎng)景氣度下降所致。盈利能力方面，2022 年 Q3 單季度毛利 率為 30.27%，整體前三季度毛利率達(dá) 42.23%，同比提升 3.64pct。費(fèi)用方面，公司前 三季度研發(fā)費(fèi)用達(dá)8393萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)77.08%，研發(fā)費(fèi)率達(dá)到8.86%，同比提升2.82pct。

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公司逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品產(chǎn)品線拓展及技術(shù)創(chuàng)新 1）NAND Flash 方面：公司作為 SLC NAND 領(lǐng)域龍頭企業(yè)，核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，實(shí)現(xiàn)了 從 1Gb 到 32Gb 系列產(chǎn)品設(shè)計(jì)研發(fā)的全覆蓋。公司開(kāi)發(fā)的車規(guī)產(chǎn)品正在進(jìn)行 AEC-Q100 驗(yàn)證，同時(shí)先進(jìn)制程的 19nm 已完成首輪晶圓流片，處于國(guó)際領(lǐng)先地位。 2）NOR Flash 方面：公司自主設(shè)計(jì)的 SPI NORFlash 存儲(chǔ)容量覆蓋 2Mb 至 256Mb。支持 多種數(shù)據(jù)傳輸模式，目前公司已經(jīng)為三星電子、LG、傳音控股、歌爾股份等中外知名終 端客戶提供產(chǎn)品。 3）DRAM 方面：公司研發(fā)的 DDR3 具有高帶寬、低延時(shí)等特點(diǎn)，在研的 LPDDR4x 進(jìn)度 符合公司預(yù)期，主要針對(duì)基帶市場(chǎng)和模塊類客戶。
5.5 深科技：存儲(chǔ)芯片封測(cè)領(lǐng)先者，定增加碼產(chǎn)能
存儲(chǔ)芯片封測(cè)領(lǐng)先者。在半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，公司主要從事高端存儲(chǔ)芯片的封裝與測(cè) 試，產(chǎn)品包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、NAND 型閃存（NAND FLASH）以及嵌入式 存儲(chǔ)芯片，具體有雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗雙倍 速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格 的低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMCP4）等。 定增加碼存儲(chǔ)芯片封測(cè)產(chǎn)能。公司定增募資 14.62 億元投向存儲(chǔ)先進(jìn)封測(cè)與模組制造項(xiàng) 目。合肥沛頓已通過(guò)現(xiàn)有客戶封裝產(chǎn)品大規(guī)模量產(chǎn)審核，計(jì)劃下半年進(jìn)一步積極導(dǎo)入新 客戶。公司積極布局高端封測(cè)，規(guī)劃建設(shè)凸點(diǎn)（Bumping）項(xiàng)目，目前凈化間施工和首線 設(shè)備采購(gòu)正同步進(jìn)行。未來(lái)，公司將以滿足重點(diǎn)客戶產(chǎn)能需求和加強(qiáng)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā) 為目標(biāo)，聚焦倒裝工藝（Flip-chip）、POPt 堆疊封裝技術(shù)的研發(fā)、16 層超薄芯片堆疊技 術(shù)的優(yōu)化，致力成為存儲(chǔ)芯片封測(cè)標(biāo)桿企業(yè)。
公司披露業(yè)績(jī) 2022 年第三季度業(yè)績(jī)報(bào)告。2022 前三季度公司營(yíng)收 120 億元，同比下滑 2.08%，公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 5.75 億元，同比上升 11.32%。單季度看，公司 2022 年 Q3 實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 44.6 億元，環(huán)比上升 14.3%，同比上升 3.43%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 1.2億元，環(huán)比減少 43.66%，同比下降 50.9%。盈利能力方面，2022 年 Q3 單季度毛利率 為 3.31%，整體前三季度毛利率達(dá) 11.24%，同比提升 16.6%。費(fèi)用方面，公司前三季 度研發(fā)費(fèi)用達(dá) 2.25 億元，同比下降 27.4%，研發(fā)費(fèi)率 1.87%，與上一年度基本持平。
5.6 普冉股份：存儲(chǔ)行業(yè)新星，發(fā)力工業(yè)控制和車載領(lǐng)域
存儲(chǔ)行業(yè)新星，兩大產(chǎn)品線齊頭并進(jìn)。公司主要產(chǎn)品包括 NOR Flash 和 EEPROM 兩大類 非易失性存儲(chǔ)器芯片、微控制器芯片以及模擬產(chǎn)品。公司披露 2022 年年度業(yè)績(jī)快報(bào)。 2022 年公司營(yíng)收 9.25 億元，同比下滑 16.15%。公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 0.83 億元，同比 下降 71.44%。業(yè)績(jī)下滑主要受市場(chǎng)需求疲軟，產(chǎn)品線出貨量和價(jià)格下降影響。 單季度看，公司 2022 年 Q4 實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 1.61 億元，同比下降 42.31%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利 潤(rùn)-0.55 億元，同比減少 180.49%。費(fèi)用方面，公司 2022 年研發(fā)費(fèi)用達(dá) 1.49 億元，同 比上升 64%。

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持續(xù)拓展品類，發(fā)力工業(yè)控制和車載領(lǐng)域。公司 EEPROM 車載產(chǎn)品完成 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn) 的全面考核，在車身攝像頭、車載中控、娛樂(lè)系統(tǒng)等應(yīng)用上實(shí)現(xiàn)了海內(nèi)外客戶的批量交 付，汽車電子產(chǎn)品營(yíng)收占比顯著提升；目前公司超大容量 EEPROM 系列開(kāi)發(fā)完成，支持 SPI/I2C 接口和最大 4Mb 容量，其中 2Mb 產(chǎn)品批量用于高速寬帶通信和數(shù)據(jù)中心。 公司產(chǎn)品介紹如下： 1）NOR Flash：公司 NOR Flash 產(chǎn)品采用電荷俘獲(SONOS)及浮柵(ETOX)工藝結(jié)構(gòu)，提 供了 512Kbit 到 128Mbit 容量的系列產(chǎn)品，覆蓋 1.65V-3.6V 的操作電壓區(qū)間，具備低功 耗、高可靠性、快速擦除和快速讀取的優(yōu)異性能，下游應(yīng)用領(lǐng)域集中在藍(lán)牙、IOT、TDDI、 AMOLED、工業(yè)控制等相關(guān)市場(chǎng)。目前 NOR Flash 行業(yè)主流工藝制程為 55nm，公司 40nm 工藝制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先技術(shù)水 平。 2）EEPROM：公司已形成覆蓋 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 產(chǎn)品系列，操作電壓覆蓋 1.7V-5.5V，主要采用 130nm 工藝制程，具有高可靠性、面積小、性價(jià)比高等優(yōu)勢(shì)，可 擦寫次數(shù)可達(dá)到 400 萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可達(dá) 200 年。公司 EEPROM 產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域集中 在手機(jī)攝像頭模組、工業(yè)控制、汽車電子、家電、計(jì)算機(jī)周邊等領(lǐng)域。目前 EEPROM 產(chǎn) 品國(guó)內(nèi)行業(yè)主流工藝制程為 130nm，公司 95nm 及以下工藝制程下產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng) 先于業(yè)界主流工藝制程。
5.7 佰維存儲(chǔ)：存儲(chǔ)芯片小巨人，短期業(yè)績(jī)承壓
存儲(chǔ)芯片小巨人，嵌入式存儲(chǔ)為業(yè)務(wù)基石。公司主要從事半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)應(yīng)用 研發(fā)、封裝測(cè)試、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品及服務(wù)包括嵌入式存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、工業(yè)級(jí) 存儲(chǔ)及先進(jìn)封測(cè)服務(wù)。根據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)調(diào)研數(shù)據(jù)，公司 eMMC 及 UFS 在全球市場(chǎng)占有 率達(dá)到 2.4%，排名全球第 8，國(guó)內(nèi)第 2。公司披露 2022 年年度業(yè)績(jī)快報(bào)。2022 年公司 營(yíng)收 29.74 億元，同比增長(zhǎng) 13.98%。公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 0.73 億元，同比下降 37.24%。 業(yè)績(jī)下滑主要受市場(chǎng)需求疲軟，研發(fā)投入加大影響。 單季度看，公司 2022 年 Q3 實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 8.01 億元，同比上升 42.27%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利 潤(rùn) 0.27 億元，達(dá)到上一年度 26 倍。盈利能力方面，2022 年 Q3 單季度毛利率為 3.25%， 整體前三季度毛利率達(dá) 14.77%，同比下降 15.84%。費(fèi)用方面，公司前三季度研發(fā)費(fèi)用 達(dá) 0.94 億元，同比下降 12.15%，研發(fā)費(fèi)率 4.28%，較上一年度上升 4.39%。
公司產(chǎn)品可分為如下三類： 1）嵌入式存儲(chǔ)：公司嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品類型覆蓋了 ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGASSD、 LPDDR、MCP、SPI NAND 等，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、智能穿戴、無(wú)人機(jī)、智能電視、 筆記本電腦、智能車載、機(jī)頂盒、智能工控、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。其中，車載存儲(chǔ)器產(chǎn)品的 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)達(dá)到車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，于 2018 年獲得 IATF16949:2016 汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證。 2）消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)：公司的消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條和移動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)品，主要應(yīng)用 于消費(fèi)電子領(lǐng)域。公司固態(tài)硬盤產(chǎn)品傳輸速率最高可達(dá) 7,400MB/s，處于行業(yè)領(lǐng)先地位； 公司已正式發(fā)布 DDR5 內(nèi)存模組，傳輸速率已達(dá) 5,200Mbps，未來(lái)可達(dá) 6,400Mbps。 3）工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)：包括工規(guī)級(jí) SSD、車載 SSD 及工業(yè)級(jí)內(nèi)存模組等，主要面向工業(yè)類細(xì) 分市場(chǎng)，應(yīng)用于 5G 基站、智能汽車、智慧城市、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、高端醫(yī)療設(shè)備、智慧金融 等領(lǐng)域。
5.8 香農(nóng)芯創(chuàng)：AI 服務(wù)器需求增長(zhǎng)，帶動(dòng)內(nèi)存有望提升
公司 1 月 16 日發(fā)布 2022 年業(yè)績(jī)預(yù)告，歸母凈利潤(rùn)盈利 2.6-3.4 億元，同比提升 16.16%- 51.90%。公司 2022 年前三季度業(yè)績(jī)，營(yíng)收 107.67 億元，同比提升 132.20%，公司實(shí) 現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 1.55 億元，同比上升 10.47%。2022 年 Q3 單季度看，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 21.23 億元，同比下降 52.74%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)-0.09 億元，同比降低 111.90%。在國(guó)內(nèi)外多 重因素影響下，自 2022 年第三季度存儲(chǔ)器需求放緩、價(jià)格下滑。因此第三季度，公司半 導(dǎo)體分銷板塊的收入下降、利潤(rùn)下滑。 公司作為海外大客戶國(guó)內(nèi)分銷廠商，將積極開(kāi)發(fā)新客戶，鞏固與核心原廠的合作關(guān)系。 公司將在維護(hù)現(xiàn)有客戶、提高客戶黏性的同時(shí)，發(fā)揮自身在優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和良好 口碑，持續(xù)開(kāi)發(fā)新客戶，不斷鞏固與核心原廠的合作關(guān)系。同時(shí)公司將積極維護(hù)與現(xiàn)有 主要客戶的合作關(guān)系，深度挖掘客戶需求及多維度合作的可能性，提升服務(wù)質(zhì)量，根據(jù) 市場(chǎng)情況適時(shí)調(diào)整經(jīng)營(yíng)策略。
公司認(rèn)為，云計(jì)算是典型的重資產(chǎn)行業(yè)，需要持續(xù)、大量的資本投入。目前國(guó)內(nèi)主流云 廠商資本支出和市場(chǎng)占有率與全球云服務(wù)巨頭亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)（AWS）、微軟（Microsoft Azure）、谷歌（Google Cloud）相比仍有較大差距。受益于國(guó)家政策支持以及數(shù)據(jù)中心 應(yīng)用場(chǎng)景的不斷豐富，加之?dāng)?shù)字化轉(zhuǎn)型為長(zhǎng)期、系統(tǒng)性的趨勢(shì)，存儲(chǔ)器采購(gòu)需求上表現(xiàn) 為剛性及穩(wěn)定的特點(diǎn)，為公司的持續(xù)、穩(wěn)定發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

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